Звук - статьи


УМЗЧ ВВ с микроконтроллерной системой управления - часть 9


Принципиальная схема основной платы усилителя приведена на рис. 5.

Main board


Рис. 5. Принципиальная схема основной платы усилителя.

По сравнению с оригинальной конструкцией в усилитель были внесены небольшие изменения. Эти изменения не являются принципиальными и представляют собой в основном переход на более новую элементную базу.

Изменена схема температурной стабилизации тока покоя. В оригинальной конструкции вместе с выходными транзисторами на радиаторах был установлен транзистор - датчик температуры, который задавал напряжение смещения выходного каскада. При этом учитывалась температура только выходных транзисторов. Но температура предоконечных транзисторов ввиду довольно большой рассеиваемой на них мощности также значительно повышалась во время работы. По причине того, что эти транзисторы устанавливались на небольших отдельных радиаторах, их температура могла довольно резко колебаться, например, в результате изменения рассеиваемой мощности или даже из-за внешних воздушных потоков. Это приводило к таким же резким колебаниям тока покоя. Да и любой другой элемент УМ может довольно сильно нагреваться во время работы, так как в одном корпусе находятся источники тепла (радиаторы выходных транзисторов, трансформаторы и т.д.). Это относится и к самым первым транзисторам составного эмиттерного повторителя, которые вовсе не имели радиаторов. В результате ток покоя мог возрасти в несколько раз при нагреве УМ. Решение этой проблемы было предложено Алексеем Беловым [6].

Обычно для температурной стабилизации тока покоя выходного каскады УМ используют следующую схему (рис. 6a):



Рис. 6. Схема температурной стабилизации тока покоя.

Напряжение смещения прикладывается к точкам A и B. Оно выделяется на двухполюснике, который состоит из транзистора VT1 и резисторов R1, R2. Начальное напряжение смещения устанавливают резистором R2. Транзистор VT1 обычно закрепляют на общем с VT6, VT7 радиаторе. Стабилизация осуществляется следующим образом: при нагревании транзисторов VT6, VT7 уменьшается падение база-эмиттер, что при фиксированном напряжении смещения приводит к увеличению тока покоя.


Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин